Modificando el diseño

Lo interesante de la simulación es que nos permite profundizar en qué parámetros del transistor afectan a su funcionamiento. En el diseño actual vemos que la corriente que circula por el drenador es de 3mA (En la gráfica vemos 3, pero recordemos que es el resultado de multiplicar el valor real por 1000)

Vamos a modificar la longitud del canal N del mosfet, esto es, cambiando la anchura del polisilio. El objetivo es ver cómo afecta esta anchura a la corriente que pasa por el drenador

Lo podemos hacer de dos maneras:

1. Borrando el polisilicio, y dibujando uno nuevo. Para borrar pinchamos en el polisilicio con el botón izquierdo del ratón y luego seleccionamos Delete. Tras ello volvemos a dibujar el polisilicio como ya sabemos

2. Cambiando la anchura del polisilicio. Es la opción que vamos a utilizar. Pinchamos con el botón izquierdo en el polisilicio

Vemos el valor de la anchura actual, que en este ejemplo era de 3.3

Vamos a poner un ancho menor, como por ejemplo 2.5

Pulsamos OK. Cambia la longitud del canal (que es la anchura del polisilicio) y vemos en la simulación cómo la corriente ha aumentado hasta 4mA